第334章 存储研发的“长征路”，坂本团队的“攻坚战”(2/5)

   128层以上超高堆叠3d nand fsh技术，以及被林轩反复强调的、代表着未来存储密度极致追求的plc和qlc的前瞻性研究之中！

    这条路的难度，堪称“地狱级”！

    超高堆叠3d nand，意味着要在指甲盖大小的硅片上，像雕刻微缩版的“通天塔”一样，精准地蚀刻出深达数微米甚至数十微米、直径却只有几十纳米的垂直通道，

    并在这些比头发丝还要细数万倍的通道内，均匀地沉积上数十层甚至上百层厚度仅有几个原子级别的电荷俘获层、隧穿氧化层和阻挡层……其工艺控制的精度和难度，每增加一层，都呈指数级上升！

    而plc\/qlc技术，则要求在每一个小小的存储单元内，通过极其精密的电压控制，实现对4个比特（qlc）甚至5个比特（plc）数据的可靠读写！

    这对存储材料的稳定性和耐久性、主控芯片的纠错算法和信号处理能力，都提出了近乎变态的要求！任何微小的电荷泄漏或电压漂移，都可能导致数据的灾难性丢失！

    在最初的几个月里，坂本健一带领的nand研发团队，几乎是天天“碰壁”。

    实验室里，用于超高深宽比刻蚀的等离子体设备，因为参数控制不当，烧毁了无数片昂贵的测试晶圆。

    用于多层薄膜均匀沉积的原子层沉积（ald）设备，也因为材料源的纯度和腔体环境的细微波动，迟迟无法达到预期的成膜质量。

    plc\/qlc的测试芯片，更是因为电荷保持特性太差，数据写入后不到几小时就“灰飞烟灭”，被工程师们戏称为“阅后即焚存储器”。

    一时间，团队内部也出现了一些悲观和动摇的情绪。

    “坂本先生，我们是不是太冒进了？直接挑战128层以上的堆叠，还要搞什么plc\/qlc，这简直是不可能完成的任务啊！三星和铠侠他们，在96层上都还在苦苦挣扎呢！”一位年轻的工程师，在一次实验再次失败后，忍不住向坂本抱怨道。

    坂本健一只是平静地看着他，苍老的脸上没有丝毫的波澜。

    他指着实验室墙上，林轩亲笔书写的那幅巨大的“开天计划”战略图，缓缓说道：“孩子，你看到那座最
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