第334章 存储研发的“长征路”，坂本团队的“攻坚战”(3/5)

高的山峰了吗？如果我们选择从山脚一步一个脚印地往上爬，或许也能到达山顶，但等我们爬到的时候，山顶上最好的风景，可能早就被别人占光了。”

    “林先生选择的，是一条更艰难、但也可能更快的路——

    我们要在悬崖峭壁上，开凿出一条属于自己的、通往巅峰的捷径！这条路，注定充满了失败和牺牲。

    但每一次失败，都是在为最终的成功，积累宝贵的经验。记住，存储芯片的研发，从来就没有一帆风顺的坦途。

    唯有像‘愚公移山’那样，一代人接着一代人，一镐头接着一镐头，持之以恒，百折不挠，才有可能最终撼动那座看似不可逾越的技术大山！”

    坂本健一的这番话，如同暮鼓晨钟，再次点燃了年轻工程师们心中的火焰。他们知道，自己正在参与的，是一项足以载入史册的伟大事业！

    而在dra内存的研发战线上，坂本健一同样展现出了他作为“存储教父”的深厚功力。

    他深知dra的技术迭代虽然看似没有3d nand那般“日新月异”，但其对制造工艺的极致要求和专利壁垒的森严程度，却有过之而无不及。

    因此，在dra的技术路线上，他采取了更为稳健和务实的“两步走”策略：

    第一步，先从相对成熟的ddr3和低功耗lpddr3技术入手。这一方面是为了让团队快速积累dra核心单元的制造工艺经验和参数优化能力；

    另一方面，也是为了尽快拿出能够满足启明芯自家中低端“天枢”c和部分物联网设备需求的、具有一定性价比的dra产品，为“神农存储”计划实现初步的“自我造血”。

    第二步，则是在掌握了核心工艺和积累了足够人才之后，再集中力量，向代表着未来高性能计算和服务器市场方向的ddr4、ddr5乃至hb等更先进的技术节点，发起全面冲击！

    即便如此，dra的研发之路，也同样充满了挑战。

    特别是在核心的深沟槽电容制造工艺上，如何在保证极高深宽比的同时，实现沟槽内壁介电薄膜的均匀覆盖和无缺陷填充，一直是困扰业界的顶级难题。

    与此同时，“神农1号”超级晶圆厂的建设，也在孙振南的亲
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