第343章 “开天之芯” － ai主控再显神威(1/5)
庐州，“神农1号”超级晶圆厂，中央控制室。
自林轩将“伏羲”ai平台全面接入产线，辅助进行工艺参数优化与良率预测之后，这座一度因国际巨头联合绞杀而几乎陷入绝境的华夏存储希望之城，终于重新燃起了希望的火焰。
在坂本健一这位存储教父的毕生经验与“伏羲”ai那近乎无穷的算力智慧的完美结合下，
针对128层以上3d nand fsh深孔刻蚀均匀性、存储单元阈值电压控制、以及早期dra沟槽电容制造等核心工艺瓶颈的优化方案，如同雨后春笋般不断涌现。
实验产线的良品率，虽然依旧无法与三星、海力士那些经营数十年的成熟工厂相比，但已经从最初那令人绝望的百分之十几、二十几，顽强地爬升到了百分之四十、甚至在某些特定批次的nand测试晶圆上，奇迹般地突破了百分之五十的关口！
这个进步，虽然在外界看来依然不够看，但对于身处其中的坂本健一和孙振南来说，却不啻于一次次微小但却无比珍贵的胜利！
每一次良率的提升，都意味着距离大规模量产又近了一步，也意味着那压在头顶的、天文数字般的资金消耗压力，稍微减轻了一丝。
然而，新的问题，也随之而来。
“坂本先生，孙总，”一位负责nand颗粒筛选与测试的年轻工程师，将一份最新的测试报告递了上来，脸上带着一丝难以掩饰的忧虑，
“最新一批128层3d nand晶圆，虽然整体良率提升到了接近55，但其中能够达到我们最初定义的‘a级品’标准——”
“即所有性能参数都完美达标、几乎零坏块的颗粒，占比依然非常低，不足10。”
“大部分通过电学测试的颗粒，”他指着报告上的数据，“都或多或少存在一些瑕疵。比如，坏块数量略高于预期，部分区块的擦写寿命可能略低于设计目标，或者在极端温度下的数据保持特性稍有波动。”
“按照传统标准，这些都只能算是‘b级品’甚至‘c级品’，很难用于高端消费类或企业级产品。”
dra那边的情况也类似。
虽然初步实现了ddr3内存颗粒的小批量试产，但其在工作
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