第345章 坂本的执念 － dram的曙光(1/5)

    2012年，岁末。庐州，“神农1号”超级晶圆厂。

    无尽的黑夜，似乎永远笼罩着这座肩负着华夏自主存储梦想的孤寂堡垒。

    nand fsh产线那边，虽然在“伏羲”ai的强力介入和“神农之芯”ai主控的“点石成金”之下，已经能够稳定地产出一些瑕疵可控、性能尚可的128层3d nand颗粒，勉强支撑起启明芯部分产品的内部需求和“神农s1”固态硬盘的“搅局”使命。

    但所有人都清楚，那更多的是一种“以智补拙”的非对称胜利，是在硬件设备和基础材料被全面限制下的无奈之举。

    而真正的“皇冠上的明珠”，那颗能够决定未来高性能计算、人工智能、乃至整个数字经济命脉的——dra（动态随机存取存储器）内存芯片，其研发与量产之路，却依旧被浓得化不开的绝望阴云所笼罩。

    dra，这个被业内人士敬畏地称为“半导体制造工艺的试金石”和“集材料、设备、设计、工艺之大成的黑科技之王”的领域，其技术壁垒之高，制造工艺之精密，对环境要求之苛刻，远远超出了nand fsh甚至高性能逻辑芯片的范畴。

    它不像nand那样可以通过增加堆叠层数来“粗暴”地提升存储密度；

    也不像cpu那样可以通过优化逻辑设计来“巧妙”地提升性能。

    dra的每一个存储单元，都由一个微乎其微的晶体管和一个更加微乎其微的、如同在硅片上垂直挖掘数十层楼深的“纳米深井”般的沟槽电容器构成。

    要在指甲盖大小的芯片上，精确地、均匀地、且性能高度一致地制造出数百亿个这样的“纳米深井”，并确保它们能够在每秒数十亿次的高速读写中，可靠地保持电荷长达数十毫秒而不发生泄漏……

    这，已经不是简单的工程技术，这简直是……在挑战物理学的极限！是现代工业文明的“炼金术”！

    长期以来，这项“炼金术”的核心秘诀，被高丽三星、sk海力士以及国美光这三大寡头牢牢掌控。

    他们凭借着数十年积累的、近乎“玄学”般的工艺经验、对核心设备的优先采购权、以及对关键材料的垄断性控制，构建起了一道外人根本无法逾越的、密不透风的
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