第345章 坂本的执念 － dram的曙光(3/5)
我们最新采购的那批高k介质前驱体材料，纯度检测结果怎么样？”坂本健一的声音平静得可怕，听不出任何情绪波动。
“纯度……勉强达标。”负责材料分析的工程师小声回答，“但其中几种关键的金属杂质含量，还是略高于三星和海力士内部控制的最高标准。”
“这些杂质，在后续的高温退火过程中，很可能会扩散到沟槽电容的介质层中，形成漏电路径，进一步恶化电荷保持特性。”
设备不行，材料不行，工艺窗口又极其狭窄……
这仗，还怎么打？！
一些年轻的工程师眼中，已经开始流露出动摇和放弃的神色。
他们甚至开始私下议论，林总当初决定同时启动nand和dra两条战线，是不是太过冒进和理想化了？
以启明芯目前的实力，能啃下nand这块硬骨头就已经谢天谢地了，dra这种神仙打架的领域，是不是应该暂时战略性放弃？
就在团队士气即将跌入谷底之际，坂本健一却缓缓地从座位上站了起来。
他没有去指责任何人，也没有去抱怨外部环境的恶劣。
他只是默默地走到那张几乎占据了整面墙壁的、画满了各种复杂dra存储单元结构图和工艺流程图的巨大白板前，拿起一支红色的记号笔。
然后，他开始在那张几乎已经被各种修改和标注填满的深沟槽电容结构示意图上，再次进行着近乎“自虐”般的、更深层次的剖析和推演。
“沟槽的形貌控制……侧壁的钝化……高k介质的原子层沉积均匀性……顶部多晶硅填充的致密性……每一个环节，都还有优化的空间！”坂本健一喃喃自语，仿佛完全沉浸在了自己的技术世界里。
他那佝偻的背影，在明亮的灯光下，显得有些孤寂，却又透着一股令人肃然起敬的、永不言败的坚韧！
“伏羲，调出最近一百批次沟槽刻蚀失败晶圆的所有工艺参数和缺陷分布数据，进行深度关联性分析。重点关注等离子体功率、腔体压力、刻蚀气体配比、以及晶圆边缘温度梯度，与沟槽形貌变异之间的非线性耦合关系。”
“我要在三个小时内，看到所有潜在的、能够将刻蚀均匀性再提升05个标准差的参数
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