第149章 纳米工艺锗碳芯片(3/3)

    眼看两系的纷争都快要影响到学术报告会的筹备工作了，最终还是校长大人将人拉来，开了个小会。

    结果也算是平分吧。

    酒店接待数学的志愿者由材料系出，而学术报告会现场的志愿者则由数学系出。

    相对于刘主任和周主任的忙碌，赵小侯此时则是在小侯实验室里查看米来娣等人这段时间的成果。

    还别说，只要选好了人，在有了基础的情况之下，赵小侯这段时间都没有管实验室的事，但依然给了他不小的惊喜。

    米来娣等人这段时间竟然一举突破了之前的250纳米瓶颈，研制出了180纳米工艺制程的锗碳芯片！

    其每平方毫米的晶体管数量达到了惊人的20万个！

    基于锗碳芯片较之硅芯片要强大很多的性能，这个工艺制程研制出来的锗碳芯片，其性能相当于每平方毫米4000万个晶体管的硅芯片。

    而现在7纳米工艺制程的硅芯片，其晶体管密度为每平方毫米5000万个。

    也就是说，180纳米工艺制程的锗碳芯片在基础性能上较之7纳米工艺制程硅芯片要弱上20。

    但这并不是不能解决的问题。

    如果在布线等等方面略微改进，180纳米的锗碳芯片在性能上就能够和7纳米硅芯片相等。

    当然，现在锗碳芯片的潜力还很大，完全不需要在这些方面改进。

    赵小侯当场就给米来娣等三人颁发了每人100万的重奖，同时其他几个杂工也获得了十万的奖金。

    并且他还宣布了一个好事，那就是米来娣等人的助理研究员职称已经过审，最多再过几天，就下来了。

    毫无疑问，这对于米来娣等人称得上是双喜临门。